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삼성전자, 내년 고대역폭메모리(HBM) 생산능력 2.5배 확대

삼성전자가 내년에는 고대역폭메모리(HBM) 생산능력을 올해보다 2.5배 늘리기로 결정했다. 이를 위해 경기 평택캠퍼스와 미국 테일러 파운드리(반도체 수탁 생산)의 설비도 고도화할 계획이다. 이에 따라, 올해 시설투자로는 역대 최대인 53조 7000억원을 투자할 예정이다. 이러한 투자를 통해 삼성전자는 기술적 초격차를 유지하며 반도체 시장의 회복기에 대비할 것으로 전해졌다.

삼성전자는 지난 31일 발표한 자료에 따르면, 이번 3분기에는 매출이 67조 4047억원, 영업이익이 2조 4336억원으로 기록되었다고 밝혔다. 이는 지난해 동기 대비 매출이 12.2%, 영업이익은 77.6% 감소한 결과다. 작년 대비하여 실적은 좋지 않았지만, 올해 들어서는 처음으로 조(兆) 단위의 영업이익을 기록하는 등 실적이 회복되고 있는 조짐을 보이고 있다는 평가가 나오고 있다.

반도체 사업 부분에서는 이번 3분기에는 영업손실이 3조 7500억원으로 발생했다. 하지만 이는 올해 1분기와 2분기에 기록한 4조원대의 적자에 비해 줄어들었다. 또한, 모바일 경험(MX) 사업부 등을 담당하는 스마트폰 분야에서는 영업이익이 3조 3000억원으로 호조를 보이고 있는 것으로 평가되고 있다.

삼성전자는 생성형 인공지능(AI) 기술의 확산으로 수요가 급증하는 HBM의 판매량을 늘려 실적을 높이기 위한 계획을 가지고 있다. 이를 위해 삼성전자 메모리 사업부의 김재준 부사장은 "내년에는 HBM 공급량을 올해 대비하여 2.5배 이상 증가시킬 것"이라며 "올해 3분기에 양산을 시작한 4세대 HBM인 HBM3에 이어 내년 상반기에는 5세대인 HBM3E를 생산할 것"이라고 밝혔다.

이에 따라 반도체 시장이 탈피하며 회복세에 접어들고 있다는 분석도 제시되고 있다. 김 부사장은 "고객사의 메모리 반도체 재고는 5월에 정점을 찍은 후 계속해서 감소하고 있다"며 "메모리 업황의 회복세는 2024년까지 이어질 것"이라고 전망했다. 또한, 내년에는 폴더블 스마트폰 사업을 확대할 예정이라고 밝혔다.

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