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삼성전자, 18나노급 D램 핵심 기술 중국으로 유출 혐의…전직 직원 등 구속영장 발부

삼성전자의 18나노급 D램 핵심 기술이 중국 업체에 빼돌렸다는 혐의로 전직 삼성전자 직원 등이 구속영장을 받았다. 이들은 수백억원대 금품을 받은 사실이 드러났으며, 또다른 공범 한 명도 추가로 구속된 것으로 알려졌다. 법원은 "증거인멸 염려가 있다"며 구속영장을 발부했다.

지난 15일, 서울중앙지방검찰청 정보기술범죄수사부에 따르면, 이들은 전 삼성전자 부장인 김씨와 관계사인 반도체 설비업체 A사 전 직원인 방씨가 수백억원대의 금품을 받은 사실이 파악되었다. 이들은 중국의 신생 반도체 업체인 창신메모리(CXMT)에 삼성전자의 18나노급 D램 공정 기술 등을 넘긴 혐의로 기소되었다. 검찰은 김씨가 2016년 삼성전자를 퇴사한 뒤 중국 업체로 이직하며 반도체 기술을 빼돌렸다고 보고 있다. 김씨는 중국 업체로부터 연봉만 수십억원을 받았다고 전해졌다. 이번 사건으로 인한 피해 금액은 약 2조3000억원으로 추산되었다.

검찰은 이들이 18나노급 D램 공정과 반도체 증착 기술을 유출한 것으로 추정하고 있다. D램은 PC, 서버, 스마트폰 등에서 사용되는 반도체로, 연산처리와 메모리 저장 등 고성능 전자기기의 중요한 부품이다. 증착 기술은 반도체 재료인 웨이퍼 표면에 1마이크로미터 미만의 얇은 막을 입혀 전기적 특성을 부여하는 기술이다. 이 기술은 휴대폰과 갤럭시워치 등 소형 전자기기에서 사용되며, 반도체를 얼마나 소형화할 수 있는지를 결정한다. 유출된 기술은 박사급 연구원들이 수년간 시행착오를 겪으며 연구개발에 많은 노력을 기울인 결과물이었다.

기술 유출 관련하여 양형기준이 낮아 업계에서는 범죄자에게 강력한 처벌을 요구하고 있다. 이번 사건으로 인해 삼성전자는 2.3조원에 달하는 피해를 입은 것으로 추산되며, 이에 대한 업계의 강력한 대책이 필요하다고 평가된다.

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