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SK하이닉스, 세계 최고성능의 HBM3E 개발 성공
SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) D램 신제품 HBM3E를 개발해 내년 상반기부터 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다. 이 제품은 SK하이닉스가 HBM3를 독점적으로 양산한 경험을 바탕으로 개발되었으며, AI용 메모리 시장에서 독보적인 위치를 확립할 것으로 기대되고 있다. SK하이닉스는 현재 고객사인 엔비디아에게 샘플을 보내 성능 테스트를 진행 중이다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결하여 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 향상시킨 고부가가치 D램이다. SK하이닉스의 HBM3E는 5세대 제품으로 평가되며, 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있는 수준이다.

또한 SK하이닉스는 어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF 공정은 반도체 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 말한다.

HBM3E는 하위 호환성도 갖추고 있어 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다.

엔비디아의 이안 벅 하이퍼스케일·HPC 담당 부사장은 "SK하이닉스와 오랜 기간 협력해왔으며, 엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션용 HBM을 위해 계속해서 협력을 이어갈 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스의 류성수 D램상품기획담당 부사장은 "HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광받는 HBM 시장에서 제품 라인업을 확장해갈 것"이라고 전했다.

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