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SK하이닉스, 역대 최고 수준의 5세대 HBM 개발...삼성과 시장 경쟁 치열
SK하이닉스가 역대 최고 수준의 고성능 D램인 5세대 고대역폭메모리(HBM)를 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. 엔비디아 등의 고객사 성능 검증을 거친 뒤 내년 하반기에 본격적인 양산에 들어갈 예정이다. 이에 삼성전자도 오는 하반기에 자사의 5세대 HBM을 공개할 것으로 예고했다. 이로 인해 고성능 D램 시장에서는 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁이 치열해질 것으로 전망된다.

SK하이닉스는 21일 "인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 5세대 HBM(HBM3E)을 개발해 성공적으로 검증 절차를 진행하고 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다"고 발표했다. SK하이닉스가 5세대 HBM을 개발하여 고객사의 검증을 진행하는 것은 이번이 처음이다.

HBM은 D램을 수직으로 쌓고 연결하여 데이터 처리 용량과 속도를 일반 D램 대비 열 배 이상으로 높인 반도체다. 이는 대규모 데이터 학습 및 추론에 특화된 AI 가속기와 그래픽 처리 장치(GPU) 등과 함께 사용된다. 최근 생성형 AI의 확산으로 인해 고성능 D램의 수요가 급증하고 있다.

SK하이닉스의 5세대 HBM인 HBM3E는 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있는 수준이다. 또한 열 방출 성능은 이전 제품 대비 약 10% 향상되었다. SK하이닉스 부사장인 류성수는 "앞으로 고부가가치 HBM의 공급 비중이 계속 증가함에 따라 실적 반등 흐름이 가속화될 것"이라고 밝혔다.

고성능 D램 시장에서는 엔비디아가 "차세대 슈퍼칩에 SK하이닉스의 5세대 HBM을 탑재할 것"이라고 밝힌 반면, 삼성전자는 "올해 연내 5세대 HBM을 공개할 예정"이라고 전해졌다. 이로 인해 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁이 가열될 전망이다.

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