DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 제조를 위한 장비 도입
DB하이텍, 차세대 전력반도체 제조 장비 도입…"GaN·SiC 수요 급증"
DB하이텍이 차세대 전력반도체인 GaN(갈륨나이트라이드)과 SiC(실리콘카바이드) 제조에 필요한 장비를 도입했다고 18일 밝혔습니다.
GaN과 SiC는 기존 Si(실리콘) 반도체와 비교해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 전기차, 신재생에너지, 고속충전, 5G(세대) 통신 등에서 수요가 급증하고 있습니다. 시장조사기관인 욜디벨롭먼트는 지난해부터 2028년까지 GaN 시장은 연평균 49%, SiC 시장은 연평균 31% 성장할 것으로 전망하고 있습니다.
DB하이텍은 GaN과 SiC를 기반으로 전력반도체 사업을 확대할 계획입니다. 특히, 전기차 인버터에 주로 사용되는 SiC는 1200볼트 이상의 초고전압을 견뎌야 하는 등 기술적 난이도가 높으며, 제조 공정에서는 주로 6인치가 사용됩니다. DB하이텍은 초기 8인치 시장을 선도하고 점유율을 높이기 위해 노력할 예정입니다.
또한, DB하이텍은 GaN 전문 팹리스 기업인 에이프로세미콘과의 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있습니다. 뿐만 아니라, SiC은 국책과제 일환으로 부산테크노파크 등과의 협력을 통해 개발에 참여하고 있습니다. DB하이텍은 이를 통해 GaN과 SiC 기술력을 더욱 강화해 나갈 계획입니다.
DB하이텍이 차세대 전력반도체인 GaN(갈륨나이트라이드)과 SiC(실리콘카바이드) 제조에 필요한 장비를 도입했다고 18일 밝혔습니다.
GaN과 SiC는 기존 Si(실리콘) 반도체와 비교해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 전기차, 신재생에너지, 고속충전, 5G(세대) 통신 등에서 수요가 급증하고 있습니다. 시장조사기관인 욜디벨롭먼트는 지난해부터 2028년까지 GaN 시장은 연평균 49%, SiC 시장은 연평균 31% 성장할 것으로 전망하고 있습니다.
DB하이텍은 GaN과 SiC를 기반으로 전력반도체 사업을 확대할 계획입니다. 특히, 전기차 인버터에 주로 사용되는 SiC는 1200볼트 이상의 초고전압을 견뎌야 하는 등 기술적 난이도가 높으며, 제조 공정에서는 주로 6인치가 사용됩니다. DB하이텍은 초기 8인치 시장을 선도하고 점유율을 높이기 위해 노력할 예정입니다.
또한, DB하이텍은 GaN 전문 팹리스 기업인 에이프로세미콘과의 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시키고 있습니다. 뿐만 아니라, SiC은 국책과제 일환으로 부산테크노파크 등과의 협력을 통해 개발에 참여하고 있습니다. DB하이텍은 이를 통해 GaN과 SiC 기술력을 더욱 강화해 나갈 계획입니다.
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김홍*
이게 나라냐!!
한혜*
정말 미래적인 기술이네요. 어서 빨리 상용화 되었으면 좋겠습니다.
김한*
정말 대책없네요.
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