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삼성전자, 세계 최초 GAA 구조 칩 양산…"기존 대비 우수한 전력 효율성"

삼성전자가 2022년 6월, 세계에서 처음으로 GAA(gate-all-around) 구조를 적용한 칩을 양산했다고 밝혔다. GAA는 전류가 흐르는 채널을 게이트가 둘러싸는 형태로 4면을 지닌다. 이를 통해 칩의 전력 효율성과 성능이 기존 3면 핀펫(Fin-FET) 구조에 비해 탁월함을 보인다.

반면 대만 TSMC는 아직 GAA 구조를 공정에 적용하지 못하고 있다. 이로써 삼성전자는 연구개발(R&D)과 전략적 시설투자를 통해 지속적인 성장을 위한 기반을 강화했음을 알 수 있다. 올 상반기에는 사상 최대 규모의 R&D 투자(7조2000억원)와 시설투자(14조5000억원)를 실시하며, 반도체 경기 반등과 미래 성장에 대비하기 위한 노력을 기울였다.

이를 통해 삼성전자는 더블데이터레이트(DDR)5, 고대역폭메모리(HBM) 등 고성능 메모리 시장에서의 리더십을 유지할 계획이다. 또한, 빠르게 성장할 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC), 자동차 전장(전자장치) 관련 차세대 반도체 시장에서도 신제품 출시를 통해 선두를 유지하는 전략을 추구하고 있다.

특히 하반기에는 DDR5, 저지연더블데이터레이트(LPDDR)5x, HBM3 등 고부가가치 제품의 판매 및 신규 수주 확대를 추진할 예정이다. 또한, 인프라, R&D, 패키징에 대한 지속적인 투자를 계획하고 있다.

삼성전자는 신제품 개발에도 주력하고 있으며, 최근 공개한 7.5Gbps(초당 7.5기가비트 전송속도) LPDDR 기반 패키지 제품인 LPCAMM은 대표적인 사례이다. 이를 통해 삼성전자는 PC 및 기타 다양한 분야에서 선도적인 위치를 유지하고 있다.

최근 전 세계적으로 급부상하는 반도체 산업에서 삼성전자는 기술력과 투자를 바탕으로 뛰어난 신제품을 출시하고 선두를 유지하고 있다. 앞으로도 삼성전자는 혁신적인 기술과 우수한 제품으로 세계 반도체 시장에서 석권할 것으로 기대된다.

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