삼성전자, 2027년까지 5나노 eMRAM 개발 계획 공개
삼성전자가 2027년까지 5나노 eMRAM 개발을 목표로 설정했다. 이는 19일 독일 뮌헨에서 개최된 삼성 파운드리 포럼 2023에서 공개된 내용이다. 삼성전자는 이번 포럼에서 최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했으며, 이 중에서도 5나노 eMRAM 개발이 가장 주목을 받았다.
eMRAM은 내장형 Magnetic Random Access Memory의 약자로, 빠른 읽기와 쓰기 속도를 바탕으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작하는 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체이다. 이는 차량용 반도체 시장에서 필요한 고속 처리와 안정성을 만족시킬 수 있는 기술로 평가받고 있다.
또한, 삼성전자는 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 레거시 공정까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다. 이로써 삼성전자는 차량용 반도체 시장에 최적화된 공정 개발을 통해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, MCU(Micro Controller Unit) 등을 고객 요구에 맞춰 양산할 계획이다.
삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 "삼성전자만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라며 기대감을 나타냈다. 또한 삼성전자는 전장 솔루션 포트폴리오 확대를 위한 구체적 로드맵을 제시했다. 최첨단 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년까지 완료하고, 차세대 eMRAM과 8인치 BCD 공정 포트폴리오를 확대할 계획이다.
BCD 공정은 Bipolar(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로, 전력 반도체 생산에 주로 활용된다.
삼성전자는 2019년에도 업계 최초로 28나노 FD-SOI(실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 형성하는 공정)를 개발한 바 있다. 이번에도 5나노 eMRAM 개발을 통해 삼성전자는 반도체 분야에서의 기술력과 경쟁력을 고조시킬 전망이다.
eMRAM은 내장형 Magnetic Random Access Memory의 약자로, 빠른 읽기와 쓰기 속도를 바탕으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작하는 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체이다. 이는 차량용 반도체 시장에서 필요한 고속 처리와 안정성을 만족시킬 수 있는 기술로 평가받고 있다.
또한, 삼성전자는 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 레거시 공정까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다. 이로써 삼성전자는 차량용 반도체 시장에 최적화된 공정 개발을 통해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, MCU(Micro Controller Unit) 등을 고객 요구에 맞춰 양산할 계획이다.
삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 "삼성전자만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라며 기대감을 나타냈다. 또한 삼성전자는 전장 솔루션 포트폴리오 확대를 위한 구체적 로드맵을 제시했다. 최첨단 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년까지 완료하고, 차세대 eMRAM과 8인치 BCD 공정 포트폴리오를 확대할 계획이다.
BCD 공정은 Bipolar(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로, 전력 반도체 생산에 주로 활용된다.
삼성전자는 2019년에도 업계 최초로 28나노 FD-SOI(실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 형성하는 공정)를 개발한 바 있다. 이번에도 5나노 eMRAM 개발을 통해 삼성전자는 반도체 분야에서의 기술력과 경쟁력을 고조시킬 전망이다.
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김홍*
이게 나라냐!!
한혜*
정말 미래적인 기술이네요. 어서 빨리 상용화 되었으면 좋겠습니다.
홍한*
이런 소식 정말 좋아요.
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