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삼성전자, 최첨단 반도체 시장에서 초격차 이어갈 계획

삼성전자가 최첨단 반도체 시장에서 초격차를 이어갈 계획을 밝혔다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스에 다소 밀린다는 평가에 대응하기 위해 신제품 개발 속도를 높일 계획이다. 또한, 차세대 메모리 신제품도 쏟아낼 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장인 황상준 부사장은 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "6세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM4를 2025년 목표로 개발하고 있다"고 말했다. 그리고 "5세대 제품인 HBM3E를 고객사에 샘플 공급할 예정"이라고 덧붙였다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓은 뒤 1024개의 구멍(데이터 통로)을 뚫어 연결한 제품이다. 최근에는 챗GPT와 같은 생성형 인공지능(AI) 가속기 등에 사용되며 수요가 크게 증가하고 있다.

하지만 SK하이닉스가 이 시장에서 다소 앞선 평가를 받고 있다. SK하이닉스는 최근까지 AI 가속기 선두기업인 엔비디아 등에 HBM3을 독점 공급하고 있다. 삼성전자는 SK하이닉스와의 경쟁 속에서 메모리 기술력에 대한 자신감을 드러냈다. 황 부사장은 "삼성전자는 2016년 세계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화에 나섰다"며 "AI 메모리 반도체 시장을 본격적으로 개척하며 2~4세대 HBM 제품을 양산하고 있다"고 밝혔다.

삼성전자는 파운드리와 메모리 반도체 공급, 첨단패키징, 테스트까지 반도체의 모든 제조 과정을 담당하는 반도체 턴키(일괄 진행) 서비스를 통해 AI 반도체 시대를 주도할 계획이다. 황 부사장은 "HBM과 함께 2.5차원, 3차원 첨단 패키지를 비롯한 맞춤형 턴키 서비스를 제공할 것"이라고 설명했다. 이를 통해 삼성전자는 신제품 개발을 더욱 가속화하고 시장의 주도권을 확보하려는 포부를 내비친 것이다.

이번 삼성전자의 계획은 국내 반도체 기업들뿐만 아니라 해외 경쟁사들과의 경쟁에서도 큰 영향을 미칠 것으로 보인다. 최첨단 반도체 분야에서의 경쟁은 더욱 치열해질 전망이며, 이를 통해 삼성전자의 기술력과 혁신력이 얼마나 인정받는지가 시험될 것이다.

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