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삼성전자, 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발 성공

삼성전자가 업계 최초로 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다고 밝혔다. 이는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량인 것으로 알려져 있다.

삼성전자는 1983년에 64Kb D램을 개발한 이후로, 40년 만에 32Gb D램 개발로 용량을 50만배로 늘렸다는 업적을 이루었다.

이번에 개발된 32Gb DDR5 D램은 2023년 5월에 양산되었던 12나노급 16Gb DDR5 D램을 이어받아 개발되었다. 이를 통해 삼성전자는 업계에서 최대 용량인 32Gb DDR5 D램의 개발 성공으로 기술적인 리더십을 강화하게 되었다.

특히, 개발된 32Gb 제품은 동일한 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배의 용량을 구현함으로써, 128GB 모듈을 TSV 공정 없이 제작할 수 있게 되었다. TSV는 칩을 얇게 간 다음, 미세한 구멍을 뚫어 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술로, 기존에는 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 제작할 때 TSV 공정을 필수적으로 사용해야했다.

또한 동일한 128GB 모듈을 기준으로, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10%의 소비 전력 개선 효과를 얻을 수 있어 데이터센터 등 전력 효율을 중시하는 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. 이를 통해 삼성전자는 고용량 D램 라인업 확대에 계속 나갈 예정이다. 또한 인공지능(AI) 시대의 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 주도할 것으로 전망된다.

삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후 인공지능 시대에 맞는 고용량, 고성능, 저전력 제품을 개발하여 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 선도할 것"이라고 밝혔다.

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