반도체 분야, 온디바이스 AI 시대의 주연은 LLW D램과 LPDDR5T, LPCAMM
반도체 분야에서 온디바이스 인공지능(AI) 시대의 주연은 신경망 처리 장치(NPU)입니다. 하지만 LLW(low latency wide·저지연 광대역폭) D램과 LPDDR5T, LPCAMM 등의 고성능·저전력 D램은 주연급 조연으로 부르기에 부족함이 없습니다. 온디바이스 AI가 적용된 제품을 제대로 구동하려면 이러한 성능 좋은 D램이 필수적으로 필요합니다.
삼성전자와 SK하이닉스는 이에 맞춰 연내에 LLW D램 양산에 들어갈 계획을 세웠다고 합니다. LLW D램은 입출력 단자(I/O)를 늘려 기존 D램 대비 데이터 처리 용량(대역폭)을 높인 제품입니다. 이를 프로세서에 가깝게 배치하여 활용하면 일반 D램 대비 전력 효율이 약 70% 향상된다고 합니다.
온디바이스 AI는 인터넷 연결 없이 스마트폰을 비롯한 기기 자체에서 추론 및 연산을 처리합니다. 그래서 기존보다 더 큰 용량과 빠른 추론·연산 속도를 갖는 D램과 낸드가 필요합니다. LLW D램은 기존 LPDDR보다 대역폭을 높여 실시간 데이터 처리 속도를 더욱 빠르게 할 수 있습니다. 이에 따라 고대역폭 메모리(HBM)에 이어 LLW D램이 메모리 반도체 시장의 성장을 견인할 것으로 예상됩니다. 또한 삼성전자가 곧 출시할 갤럭시S24 시리즈에 LLW D램을 장착할 것으로 예상되기도 합니다.
또한, 삼성전자가 지난해 9월에 개발한 PC 및 노트북용 D램 신제품인 LPCAMM도 온디바이스 AI에 맞춤형 제품으로 평가받고 있습니다. 이 제품은 종전 제품(DDR)과 비교해 최대 50% 성능 개선과 최대 70% 전력 효율 향상이 이루어진 제품입니다.
SK하이닉스가 지난해 11월에 상용화한 최첨단 모바일용 D램인 LPDDR5T도 온디바이스 AI 제품에 활용될 가능성이 높습니다. 이러한 D램 제품들은 온디바이스 AI의 성능 향상과 함께 전력 효율성도 높이는 데 기여할 것으로 기대됩니다.
삼성전자와 SK하이닉스는 이에 맞춰 연내에 LLW D램 양산에 들어갈 계획을 세웠다고 합니다. LLW D램은 입출력 단자(I/O)를 늘려 기존 D램 대비 데이터 처리 용량(대역폭)을 높인 제품입니다. 이를 프로세서에 가깝게 배치하여 활용하면 일반 D램 대비 전력 효율이 약 70% 향상된다고 합니다.
온디바이스 AI는 인터넷 연결 없이 스마트폰을 비롯한 기기 자체에서 추론 및 연산을 처리합니다. 그래서 기존보다 더 큰 용량과 빠른 추론·연산 속도를 갖는 D램과 낸드가 필요합니다. LLW D램은 기존 LPDDR보다 대역폭을 높여 실시간 데이터 처리 속도를 더욱 빠르게 할 수 있습니다. 이에 따라 고대역폭 메모리(HBM)에 이어 LLW D램이 메모리 반도체 시장의 성장을 견인할 것으로 예상됩니다. 또한 삼성전자가 곧 출시할 갤럭시S24 시리즈에 LLW D램을 장착할 것으로 예상되기도 합니다.
또한, 삼성전자가 지난해 9월에 개발한 PC 및 노트북용 D램 신제품인 LPCAMM도 온디바이스 AI에 맞춤형 제품으로 평가받고 있습니다. 이 제품은 종전 제품(DDR)과 비교해 최대 50% 성능 개선과 최대 70% 전력 효율 향상이 이루어진 제품입니다.
SK하이닉스가 지난해 11월에 상용화한 최첨단 모바일용 D램인 LPDDR5T도 온디바이스 AI 제품에 활용될 가능성이 높습니다. 이러한 D램 제품들은 온디바이스 AI의 성능 향상과 함께 전력 효율성도 높이는 데 기여할 것으로 기대됩니다.
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