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삼성전자 반도체 기술 유출 혐의로 전직 부장 구속

서울중앙지법은 삼성전자의 반도체 기술이 중국으로 유출된 혐의로 김씨 전직 삼성전자 부장에게 구속영장을 발부했다고 밝혔다. 이민수 영장전담 부장판사는 15일 김씨와 함께 방씨에게도 구속영장을 발부했다. 이들은 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률을 위반한 혐의로 구속된 것으로 알려졌다.

김씨는 삼성전자에서 퇴사한 뒤 2016년 중국의 신생 반도체 업체인 창신메모리로 이직하여 삼성전자의 16나노급 D램 핵심기술을 중국에 유출한 혐의로 기소됐다. 방씨는 김씨의 기술 유출 과정에서 관여한 것으로 알려졌다.

검찰은 이들의 기술 유출로 인해 발생한 피해액이 수조원에 달한다고 보고하고 있다. 이에 따라 김씨와 방씨는 산업기술 유출로 인한 심각한 경제적 피해를 입힌 혐의로 구속영장이 발부된 것으로 해석된다.

이들의 기술 유출은 지난 5월 국가정보원의 포착을 통해 수사가 시작되었다. 당시 이들은 중국에 머물고 있어 수사가 원활하게 진행되지 않았으나, 지난 10월 귀국한 후 본격적인 수사가 이뤄졌다고 알려졌다. 이로써 김씨와 방씨의 반도체 기술 유출 혐의는 더욱 심각한 수사로 이어지게 되었다.

삼성전자는 이번 사건과 관련하여 협력을 아끼지 않겠다고 밝히고 있다. 기술 유출 방지 및 대응 체계 강화를 통해 앞으로 이와 같은 사례가 발생하지 않도록 최선을 다할 예정이다. 이에 대한 자세한 조사 결과와 이들의 법정 공판은 추후 알려질 예정이다.

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