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삼성전자 직원이 중국에 핵심 반도체 기술을 유출한 혐의로 구속됐다. 15일 서울중앙지법은 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률을 위반한 혐의로 전직 삼성전자 부장 김씨와 다른 한 명에게 구속영장을 발부했다. 이들에게는 증거인멸의 염려가 있어 구속영장이 발부된 것으로 밝혀졌다.

김씨는 반도체 설비업체에서 일하던 동료와 공모하여 중국의 신생 반도체 업체인 창신메모리(CXMT)에 삼성전자의 18나노급 D램 공정과 반도체 증착 기술을 유출한 혐의를 받고 있다. D램은 PC와 스마트폰 등에 사용되는 반도체로, 증착 기술은 반도체의 웨이퍼 표면에 얇은 막을 입히어 전기적 특성을 부여하는 기술이다.

검찰은 김씨가 2016년 삼성전자를 퇴사한 후 중국 기업으로 이직하는 과정에서 동료와 함께 반도체 기술을 빼돌렸다고 의심하고 있다. 김씨는 반도체 공정을 넘겨주는 대가로 CXMT로부터 수십억 원의 연봉을 받았다고 알려졌다. 또한, 검찰은 이들이 수백억 원의 금품을 받은 사실도 확인했다고 밝혔다.

김씨와 함께 기술 유출에 가담한 추가 공범들에 대한 수사도 추진될 전망이다. 검찰은 삼성전자 하청업체 출신 인력 수십 명이 반도체 8대 공정 등 핵심 기술 유출에 가담한 것으로 의심하고 있다. 이를 통해 더 많은 공범자들에 대한 수사가 진행될 것으로 예상된다.

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