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삼성전자 D램 제조 기술 중국 유출 혐의로 경찰이 전 삼성전자 연구원에 대해 구속영장 신청

경찰에 따르면 15일 서울경찰청 안보수사대는 삼성전자 연구원 A씨에게 2014년에 발생한 삼성전자의 20나노급 D램 기술 코드명 볼츠만을 중국 반도체 업체인 청두가오전에 유출했다는 혐의로 구속영장을 신청했다. 이는 산업기술보호법 위반에 해당된다.

A씨는 유출 의혹을 받는 기술의 공정도를 직접 만들었다고 주장하고 있지만, 경찰은 해당 공정도를 삼성전자의 기술로 판단하고 있다.

청두가오전은 한국에서 삼성전자 임원 및 하이닉스 부사장을 지냈던 최모씨가 2021년 중국 청두시로부터 약 4600억원을 투자받아 설립한 회사이다. A씨는 청두가오전의 임원이었다.

경찰은 또한 청두가오전이 정부 기관 출신 고위관계자들을 동원하여 약 200명의 삼성전자와 SK하이닉스 인력을 기술 유출을 목적으로 영입한 사실을 포착해 수사를 진행 중이다.

A씨의 구속 전 피의자 심문인 영장 실질심사는 오는 16일 서울중앙지법에서 열릴 예정이다.

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