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삼성전자의 D램 기술 유출 혐의자들, 수백억원의 리베이트 혜택 수령

삼성전자의 16나노급 D램 핵심 기술을 중국 업체로 유출한 혐의를 받고 있는 전 삼성전자 직원과 공범 1명이 수백억원의 리베이트 혜택을 받은 것으로 밝혀졌다.

15일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부에 따르면, 전 삼성전자 부장 김모 씨와 관계사인 반도체 설비업체 전 직원 방모 씨가 수백억원의 금품을 수수한 사실이 확인됐다. 이들은 중국의 신생 반도체 업체인 창신메모리에 삼성전자의 16나노급 D램 핵심 기술을 전달한 죄로 산업기술의유출방지및보호에관한법률 위반 혐의를 받고 있다.

검찰은 김씨가 2016년 삼성전자를 퇴사한 뒤 중국 업체로 이직하면서 반도체 기술을 전수한 것으로 파악하고 있다. 김 씨는 반도체 공정을 넘겨주는 대가로 중국 업체로부터 수십억 원에 이르는 연봉 계약을 받았다고 전해졌다.

김 씨는 16나노급 D램 공정과 반도체 증착 기술 유출 혐의를 받고 있는 것으로 알려졌다. D램은 PC, 서버, 스마트폰 등에 사용되는 반도체로, 연산 처리, 메모리 저장 등 고성능 전자기기의 핵심 부품 중 하나이다. 반도체 증착 기술은 반도체의 웨이퍼 표면에 1마이크로미터 미만 두께의 얇은 막을 입히어 전기적 특성을 가지도록 하는 기술이다. 이 기술은 전자기기의 소형화에 영향을 미치는 중요한 기술로, 휴대폰을 비롯한 소형 전자기기에도 활용된다.

창신메모리는 중국에서 2016년 설립되었으며, 2020년부터 중국에서 유일하게 D램을 생산하는 기업으로 알려져 있다. 지난달에는 5세대 초저전력 D램을 개발하였다고 발표하기도 했다.

검찰은 피해 금액이 2조3000억원에 달할 것으로 예상하고 있다. 이는 개발에 수년이 소요되는 기술을 훔치는 것이었기 때문이다. 이번 사건은 우리 나라의 핵심 반도체 기술을 중국이 빼앗아 간 사례로, 국가 안보에 큰 위협이 되는 사건으로 평가되고 있다.

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