SK하이닉스, 321단 4D 낸드 플래시 기술 공개
SK하이닉스, 세계 최고층 321단 4D 낸드 플래시 기술 공개
SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개최된 플래시 메모리 서밋 2023에서 321단 1Tb TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하였다. 이는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체인 낸드플래시의 세계 최고층 기술을 의미한다.
SK하이닉스는 이번 행사에서 321단 낸드플래시의 개발 경과를 공개하고, 개발 중인 샘플을 전시하였다. 셀을 수직으로 쌓아 올리는 적층 기술은 낸드플래시의 경쟁력 핵심이며, 이번 공개로 SK하이닉스는 300단을 넘는 낸드플래시의 구체적인 개발 경과를 선보이는 것은 업계에서 처음이다.
SK하이닉스는 321단 낸드플래시의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산할 계획을 밝혔다. 회사 관계자는 "현재 양산 중인 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드의 개발을 순조롭게 진행하고 있다"고 밝혔다. 또한 "적층 한계를 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 강조하였다.
321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb 대비 생산성이 59% 증가하였다. 더 높은 단수로 데이터를 적층함으로써 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어, 웨이퍼 한 장에서 생산 가능한 전체 용량이 늘어났다.
현재 메모리 시장은 생성형 인공지능(AI) 시장의 성장으로 인해 고성능, 고용량 메모리 수요가 급증하고 있는 상황이다. SK하이닉스는 이러한 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션인 PCIe 5세대(Gen5) SSD 제품을 출시함으로써 이에 대응하고자 한다.
SK하이닉스의 321단 4D 낸드플래시 기술 공개는 메모리 업계에서 큰 주목을 받고 있다. 기술의 발전과 함께 더 많은 데이터를 처리하고 저장할 수 있는 고성능 메모리의 수요는 계속해서 증가할 전망이다.
SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개최된 플래시 메모리 서밋 2023에서 321단 1Tb TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하였다. 이는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체인 낸드플래시의 세계 최고층 기술을 의미한다.
SK하이닉스는 이번 행사에서 321단 낸드플래시의 개발 경과를 공개하고, 개발 중인 샘플을 전시하였다. 셀을 수직으로 쌓아 올리는 적층 기술은 낸드플래시의 경쟁력 핵심이며, 이번 공개로 SK하이닉스는 300단을 넘는 낸드플래시의 구체적인 개발 경과를 선보이는 것은 업계에서 처음이다.
SK하이닉스는 321단 낸드플래시의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산할 계획을 밝혔다. 회사 관계자는 "현재 양산 중인 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드의 개발을 순조롭게 진행하고 있다"고 밝혔다. 또한 "적층 한계를 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 강조하였다.
321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb 대비 생산성이 59% 증가하였다. 더 높은 단수로 데이터를 적층함으로써 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어, 웨이퍼 한 장에서 생산 가능한 전체 용량이 늘어났다.
현재 메모리 시장은 생성형 인공지능(AI) 시장의 성장으로 인해 고성능, 고용량 메모리 수요가 급증하고 있는 상황이다. SK하이닉스는 이러한 수요에 최적화된 차세대 낸드 솔루션인 PCIe 5세대(Gen5) SSD 제품을 출시함으로써 이에 대응하고자 한다.
SK하이닉스의 321단 4D 낸드플래시 기술 공개는 메모리 업계에서 큰 주목을 받고 있다. 기술의 발전과 함께 더 많은 데이터를 처리하고 저장할 수 있는 고성능 메모리의 수요는 계속해서 증가할 전망이다.
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홍한*
이런 소식 정말 좋아요.
김샛*
정말이지 이런뉴스는 올리지 말아주세요.
이동*
정말 최고예요!
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