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SK하이닉스, 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발 진행 중

SK하이닉스는 9일, 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행 중이라고 밝혔다. 이는 8일에 개최된 세계 최대 규모의 낸드플래시 컨퍼런스 플래시 메모리 서밋 2023에서 공개된 내용이다. SK하이닉스는 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시의 개발 경과를 발표하며, 개발 단계의 샘플도 함께 전시했다.

300단 이상 낸드플래시의 구체적인 개발 경과를 발표한 것은 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스는 현재 양산 중인 최고층인 238단 낸드플래시를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행 중이라 밝혔다.

321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 더 높은 단수로 데이터를 저장하는 셀을 적층해 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현했기 때문에 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 증가했다.

또한 SK하이닉스는 최근 생성형 인공지능(AI)의 성장으로 인한 고성능·고용량 메모리 수요에 맞춰 차세대 낸드 솔루션 제품도 공개했다. 이는 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)와 UFS 4.0이다.

SK하이닉스는 컨퍼런스에서 공개한 제품들이 고성능을 요구하는 고객들의 니즈를 충족시킬 것으로 기대하고 있다. 또한 이러한 제품들을 통해 발전한 회사의 솔루션 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에도 착수했다는 연구 성과를 함께 공개했다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산할 계획이다.

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