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한국, GaN 반도체 기술 관련 특허 등록 수는 세계 후순위

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창업뉴스


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작성일 23-08-06 20:51

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한국, 세계 GaN 반도체 기술 경쟁에서 밀려

질화갈륨(GaN)과 실리콘카바이드(SiC) 등 차세대 반도체 재료를 놓고 세계 각국의 확보 경쟁이 격해지고 있는 가운데 한국 입지는 좁아지고 있다. 특히 한국 기업·기관의 올해 1분기 GaN 반도체 관련 특허 등록 건수가 중국의 60분의 1, 일본의 13분의 1 수준에 그쳐 미래 기술 경쟁에서 밀리고 있다는 지적이 나왔습니다. 아울러 세계 각국은 차세대 반도체 기술을 안보 영역으로 인식해 정부 차원에서 막대한 규모의 투자에 나서고 있는데, 한국이 미온적인 대응에 그칠 경우 향후 기술 격차가 갈수록 벌어질 것이라는 우려도 제기되고 있습니다.

GaN 반도체는 전력 효율이 높고 속도 또한 빨라 차세대 반도체의 가장 대표적인 주자로 꼽힙니다. 기존 실리콘 반도체보다 속도가 100배 빠르고 에너지 소모는 40% 적으며 전력밀도도 3배에 달합니다. 이 같은 특성에 따라 GaN 반도체는 전기차, 통신, 드론, 로봇 등 다양한 분야에서 사용될 것으로 기대되고 있습니다.

하지만 글로벌 시장조사기관 노메이드의 세계 각국 GaN 반도체 기술 관련 특허 등록 데이터 분석 결과, 한국 기업·기관의 올해 1분기 특허 등록 건수는 단 3건에 그쳤습니다. 전체 등록 건수 320건 가운데 한국 기업·기관의 몫은 0.9%에 불과한 셈입니다. GaN 반도체 기술 개발에 막대한 규모로 투자하고 있는 중국은 전체 특허 등록 건수의 절반이 넘는 182건을 차지하고 있습니다. 그 뒤를 이어 미국(42건), 일본(39건), 유럽(29건), 대만(18건) 등도 각자 차세대 반도체 기술을 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있습니다.

한국의 GaN 반도체 기술 관련 특허 등록 건수가 부족한 상황에서 한국은 차세대 반도체 기술 경쟁에서 밀리고 있는 것으로 나타났습니다. 이에 따라 한국은 미래 기술에 대한 미래 성장 동력을 확보하기 위해 더욱 노력해야 할 것으로 보입니다.
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홍한*


이런 소식 정말 좋아요.

한혜*


정말 미래적인 기술이네요. 어서 빨리 상용화 되었으면 좋겠습니다.

이동*


정말 최고예요!

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