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웨이퍼 가압장비 생산을 위한 인력 확보, 클린룸 시설 확충, 유틸리티 시설 정비 등을 완료한 예스티는 고대역폭메모리(HBM)의 성능 개선을 위한 추가 양산 준비에 돌입했다고 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결하여 데이터 처리 용량과 속도를 대폭 향상시키는 고부가치 메모리 반도체로 알려져 있다.

인공지능(AI) 서비스의 확산으로 인해 AI 반도체 수요가 급증함에 따라 글로벌 반도체 기업들 사이에서 HBM 시장 경쟁이 치열해지고 있다. 이에 따라 HBM의 세대는 지속적으로 개발되어 왔는데, 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3), 5세대(HBM3E)까지 나왔다. 삼성전자는 HBM3의 양산과 함께 HBM 생산용량을 2024년까지 2배 이상 확대할 계획이라고 밝혔다. 또한 SK하이닉스는 업계에서 최초로 HBM3E 개발에 성공하였다.

HBM 생산을 위해서는 웨이퍼 가압장비가 필요한데, 예스티는 추가 양산 준비를 위해 여러 조치를 완료하였다고 전했다. 인력 확보, 클린룸 시설 확충, 유틸리티 시설 정비 등을 통해 내부 자원 재배치를 완료하였으며, 자재 구매도 마쳤다고 밝혔다.

HBM은 TSV(Through Silicon Via) 기술을 활용하여 칩을 수직으로 연결하고, 본딩과 언더필 과정을 통해 칩을 접착하는 방식으로 제작된다. 이렇게 제작된 HBM은 기존 D램 대비 데이터 처리 용량과 속도를 획기적으로 개선시킨 첨단 메모리 반도체로 여겨진다.

예스티의 웨이퍼 가압장비 추가 양산 준비는 HBM 시장 경쟁에서의 경쟁력을 강화하는 한편, 급증하는 AI 반도체 수요에 대한 대응능력도 향상시킬 것으로 기대된다.

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