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미래 안보와 연관된 차세대 반도체 기술 개발에 나선 세계 각국

세계 각국인 미국, 중국, 일본, 유럽 등은 질화갈륨(GaN)과 실리콘카바이드(SiC) 등의 차세대 반도체 기술 개발을 향해 전력 질주를 하고 있다. 이는 차세대 반도체가 미래 안보와도 연관되어 있다는 인식 때문이다.

2020년과 2021년에는 코로나19 팬데믹으로 인해 글로벌 공급망이 붕괴되고 반도체 공급난이 경험되었다. 이로 인해 주요 선진국은 차세대 반도체 분야에서는 이러한 과오를 되풀이하지 않겠다는 의지를 보여주고 있다. 게다가 이들 차세대 반도체는 극한 환경에서도 작동이 가능해 국방용으로도 널리 사용되고 있어 문자 그대로 안보자산으로 여겨지고 있다.

최근 시장조사기관 노메이드가 공개한 올해 1분기 세계 GaN 특허 모니터에 따르면, 전력 GaN 반도체 분야에서 가장 많은 특허를 공개·등록한 기업은 중국의 시리우스반도체와 일본의 미쓰비시전기였다. 이들 기업은 각각 14건의 특허를 공개·등록한 것으로 파악되었다.

또한 이들 기업 뒤를 이어 중국의 이노사이언스(13건)와 독일의 인피니언(10건)도 이름을 올렸다. 미국의 텍사스인스트루먼트(TI), 중국의 코어에너지, 일본의 로옴, 중국의 시안전자과기대학도 각각 9건의 특허를 기록했다.

통신용(RF) GaN 반도체 분야에서는 미국의 인텔이 올해 1분기에 11건의 특허를 공개·등록하여 주목을 받았다. 중국의 시안전자과기대학(9건), 중국의 CETC(8건), 미국의 울프스피드(5건), 일본의 소니(3건) 등도 기록했다.

차세대 반도체 기술 개발은 미래 안보와 연관되어 있으며, 이를 위해 주요 국가들이 전력을 다하는 것으로 보인다. 특정 기업들은 특허 등록을 통해 차세대 반도체 분야에서 선두에 서고 있으며, 이는 기술 경쟁에서 중요한 위치를 차지한다. 세계 각국은 차세대 반도체 분야에서의 경쟁력을 높이기 위해 지속적인 연구와 개발에 힘쓰고 있으며, 이는 미래 안보와 경제발전에 큰 역할을 할 것으로 기대된다.

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