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삼성전자, HBM3E D램 등 차세대 메모리 반도체 공개하며 초거대 AI 시대 주도 전략 강조

삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 HBM3E D램을 비롯한 차세대 메모리 반도체를 공개하였다. 이는 생성형 인공지능(AI)의 고성능화를 지원하는 고대역폭 및 저전력 메모리 시장에서 주도권을 가져가겠다는 전략의 일환이다.

삼성전자는 20일 미국 캘리포니아주 새너제이에 위치한 맥에너리컨벤션에서 삼성 메모리 테크데이 2023을 개최하며 초거대 AI 시대를 주도할 메모리 솔루션을 대거 공개하였다. 초거대 AI는 대량의 데이터 학습을 통해 사람처럼 종합적인 추론이 가능한 AI를 의미한다. 이를 위해 삼성전자는 고성능, 고용량, 저전력의 D램 신제품을 개발하여 초거대 AI 사업을 추진하고 있는 주요 빅테크 기업들을 겨냥하고 있다.

이번 행사에서 가장 큰 관심을 받은 제품은 HBM3E였다. HBM은 D램을 여러 겹으로 쌓아 용량과 데이터 처리 속도를 대폭 향상시킨 제품으로, 최근 생성형 AI의 확산으로 인해 수요가 증가하고 있다.

삼성전자의 HBM3E인 샤인볼트는 기존의 AI용 HBM3 D램보다 용량을 1.5배 늘리고, 처리 속도는 약 50% 향상시켰다. 성능 향상에도 불구하고 전력 효율을 10% 개선했다고 회사 측은 설명했다. 이 제품은 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있으며, 이는 30기가바이트(GB) 용량의 고화질 영화 40편을 1초만에 처리할 수 있는 속도를 의미한다. 또한, 칩을 쌓을 때 활용되는 비전도성 접착필름(NCF) 기술을 통해 열전도 효율을 극대화하였다는 것도 이 제품의 장점으로 꼽힌다. 또한, 삼성전자는 엔비디아, AMD 등 주요 고객사에 샘플을 전달하였으며, 최첨단 패키징과 파운드리(반도체 수탁생산)를 결합한 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

이번 공개를 통해 삼성전자는 생성형 AI 시대의 주도권을 다시 한 번 강조하며, 고객사들로부터 큰 관심을 받았다. 앞으로 삼성전자는 더욱 발전된 메모리 솔루션을 통해 초거대 AI 사업을 수행하고, 세계적인 빅테크 기업들과의 경쟁에서 선두에 서겠다는 의지를 보여주었다.

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