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삼성전자, 3D 기술과 저전력 AI 반도체 공략으로 LLW D램 출시

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작성일 23-11-21 20:19

삼성전자, 저전력 고성능 AI 반도체 공략…내년 LLW D램 출시

삼성전자가 일반 D램보다 전력 효율이 70% 개선된 LLW(Low Latency Wide) D램을 내년 출시한다. 이는 3나노미터 이하 초미세 파운드리(반도체 수탁생산) 공정 기술력을 강화하는 동시에 메모리 반도체와 프로세서를 수직으로 배치해 데이터 처리 효율성을 높이는 3D(3차원) 3.5D 첨단 패키징 서비스도 본격화한다. 이는 2027년 150조원 규모로 커지는 인공지능(AI) 반도체 시장을 공략하기 위한 포석이다.

삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문은 홍콩에서 열린 삼성전자 인베스터스 포럼 2023에서 GDP(GAA, DRAM, PACKAGING) 전략을 공개했다. 이는 회로 폭 3㎚ 이하 프로세서의 누설전류를 줄이는 GAA 기술과 차세대 D램 제품, 최첨단 패키징을 결합한 서비스를 뜻한다. 최첨단 메모리 반도체와 프로세서를 생산하고 두 칩을 한 칩처럼 작동할 수 있도록 배치해 최고 수준의 저전력 고성능 반도체를 공급하겠다는 것이다.

D램 분야에서는 데이터 처리 속도를 높이고 용량을 키운 차세대 D램을 내년 본격적으로 선보인다. 대표적인 제품으로 LLW D램이 있다. LLW D램은 입출력단자(I/O)를 늘려 기존 모바일용 D램 대비 데이터 처리 용량(대역폭)을 높인 제품이다. 프로세서에 가깝게 배치해 활용하면 일반 D램 대비 전력 효율이 70% 정도 향상된다는 것이 삼성전자의 설명이다. 이제 LLW D램은 삼성전자가 개발 중인 확장현실(XR) 기기 등에 적용될 전망이다.