삼성전자, 저전력 고성능 AI 반도체 제공에 본격 나선다
삼성전자, 전력 효율 70% 개선된 LLW D램 내년 출시한다
삼성전자가 일반 D램보다 전력 효율이 70% 개선된 LLW(Low Latency Wide) D램을 내년에 출시할 예정이다. 이 제품은 3나노미터 이하 초미세 파운드리 공정 기술력을 강화하며, 메모리 반도체와 프로세서를 수직으로 배치하여 데이터 처리 효율성을 높이는 3D(3차원) 및 3.5D 첨단 패키징 서비스도 본격화할 것이다. 이를 통해 삼성전자는 저전력 및 고성능 반도체를 고객사에 제공함으로써, 2027년에는 150조원 규모로 커지는 인공지능(AI) 반도체 시장을 공략하고자 한다.
삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문은 최신 기술인 GAA(Gate-All-Around) 기술과 차세대 D램 제품, 최첨단 패키징을 결합한 서비스를 통해 회로 폭 3㎚ 이하 프로세서의 누설전류를 줄이고 최고 수준의 저전력 및 고성능 반도체를 생산하겠다는 전략을 공개했다. 특히, D램 분야에서는 데이터 처리 속도를 높이고 용량을 키운 차세대 D램을 내년에 본격적으로 선보일 예정이다. 그 중에서도 대표적인 제품이 바로 LLW D램이다.
LLW D램은 입출력단자(I/O)를 늘려 기존 모바일용 D램 대비 데이터 처리 용량을 높이는 제품이다. 또한 프로세서에 가깝게 배치하여 활용하면 일반 D램 대비 전력 효율이 약 70% 향상된다는 것이 삼성전자의 설명이다. 이 LLW D램은 삼성전자가 개발 중인 확장현실(XR) 기기 등에 적용될 전망이다.
이와 함께 파운드리에서는 3㎚ 공정에서 적용되는 기술도 강화될 예정이다. 이를 통해 삼성전자는 저전력 및 고성능 반도체 시장에서 더욱 강력한 경쟁력을 얻을 것으로 예상된다.
삼성전자가 일반 D램보다 전력 효율이 70% 개선된 LLW(Low Latency Wide) D램을 내년에 출시할 예정이다. 이 제품은 3나노미터 이하 초미세 파운드리 공정 기술력을 강화하며, 메모리 반도체와 프로세서를 수직으로 배치하여 데이터 처리 효율성을 높이는 3D(3차원) 및 3.5D 첨단 패키징 서비스도 본격화할 것이다. 이를 통해 삼성전자는 저전력 및 고성능 반도체를 고객사에 제공함으로써, 2027년에는 150조원 규모로 커지는 인공지능(AI) 반도체 시장을 공략하고자 한다.
삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문은 최신 기술인 GAA(Gate-All-Around) 기술과 차세대 D램 제품, 최첨단 패키징을 결합한 서비스를 통해 회로 폭 3㎚ 이하 프로세서의 누설전류를 줄이고 최고 수준의 저전력 및 고성능 반도체를 생산하겠다는 전략을 공개했다. 특히, D램 분야에서는 데이터 처리 속도를 높이고 용량을 키운 차세대 D램을 내년에 본격적으로 선보일 예정이다. 그 중에서도 대표적인 제품이 바로 LLW D램이다.
LLW D램은 입출력단자(I/O)를 늘려 기존 모바일용 D램 대비 데이터 처리 용량을 높이는 제품이다. 또한 프로세서에 가깝게 배치하여 활용하면 일반 D램 대비 전력 효율이 약 70% 향상된다는 것이 삼성전자의 설명이다. 이 LLW D램은 삼성전자가 개발 중인 확장현실(XR) 기기 등에 적용될 전망이다.
이와 함께 파운드리에서는 3㎚ 공정에서 적용되는 기술도 강화될 예정이다. 이를 통해 삼성전자는 저전력 및 고성능 반도체 시장에서 더욱 강력한 경쟁력을 얻을 것으로 예상된다.
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