삼성전자, 업계 최초로 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발 성공
삼성전자, 업계 최초로 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발
삼성전자가 업계 최초로 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다고 밝혔다. 기존에 양산된 16Gb DDR5 D램에 이어, 단일 칩의 용량을 2배로 늘려 새로운 32Gb DDR5 D램을 개발한 것이다. 이는 역대 최대 용량으로, 삼성전자의 기술력을 한번 더 입증하는 성과이다.
이번에 개발된 제품은 TSV(실리콘 관통 전극)공정을 사용하지 않고도 128GB 모듈을 만들 수 있는 특징을 가지고 있다. TSV는 칩을 얇게 가공한 뒤 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩을 수직으로 연결하는 전극 기술로, HBM과 고성능 D램 제작에 필수적으로 사용된다.
또한, 동일한 128GB 모듈 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈과 비교했을 때 약 10%의 소비 전력을 개선할 수 있다. 이는 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자는 AI 시대를 주도하기 위해 고용량, 고성능, 저전력 제품들을 개발하고 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 선도해 나갈 계획이다. AI, 메타버스, 디지털 트윈, 자율주행 등 산업 트렌드의 변화로 컴퓨팅 처리량이 급격히 증가하면서 하이엔드 서버를 위한 고용량 D램 수요도 증가하고 있다. 시장조사기관 IDC는 2027년까지 서버 당 D램 탑재량이 2배 가까이 확대될 것으로 전망하고 있다.
삼성전자의 메모리사업부 DRAM개발실장 황상준 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 앞으로 더욱 혁신적인 기술과 제품으로 시장을 선도해 나갈 것으로 기대된다.
삼성전자가 업계 최초로 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다고 밝혔다. 기존에 양산된 16Gb DDR5 D램에 이어, 단일 칩의 용량을 2배로 늘려 새로운 32Gb DDR5 D램을 개발한 것이다. 이는 역대 최대 용량으로, 삼성전자의 기술력을 한번 더 입증하는 성과이다.
이번에 개발된 제품은 TSV(실리콘 관통 전극)공정을 사용하지 않고도 128GB 모듈을 만들 수 있는 특징을 가지고 있다. TSV는 칩을 얇게 가공한 뒤 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩을 수직으로 연결하는 전극 기술로, HBM과 고성능 D램 제작에 필수적으로 사용된다.
또한, 동일한 128GB 모듈 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈과 비교했을 때 약 10%의 소비 전력을 개선할 수 있다. 이는 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자는 AI 시대를 주도하기 위해 고용량, 고성능, 저전력 제품들을 개발하고 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 선도해 나갈 계획이다. AI, 메타버스, 디지털 트윈, 자율주행 등 산업 트렌드의 변화로 컴퓨팅 처리량이 급격히 증가하면서 하이엔드 서버를 위한 고용량 D램 수요도 증가하고 있다. 시장조사기관 IDC는 2027년까지 서버 당 D램 탑재량이 2배 가까이 확대될 것으로 전망하고 있다.
삼성전자의 메모리사업부 DRAM개발실장 황상준 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 앞으로 더욱 혁신적인 기술과 제품으로 시장을 선도해 나갈 것으로 기대된다.
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김홍*
이게 나라냐!!
김한*
정말 대책없네요.
홍한*
이런 소식 정말 좋아요.
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