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삼성전자, 메모리 저장 원리 밝혀내…플래시 메모리 한계 극복 기대

삼성전자 연구진이 전원을 꺼도 정보가 사라지지 않는 비휘발성 메모리인 플래시 메모리의 저장 원리를 밝혀냈다. 이는 삼성전자 자사의 혁신센터 CSE팀이 작성한 논문으로, 국제 학술 저널 어드밴스드 머트리얼즈에 등재되었다.

이번 연구에서는 CSE 팀의 최운이 박사를 비롯하여 김대신 상무, 권의희 DE, 손원준 파트장, 양승열 SAIT(구 종합기술원) 마스터 등이 공동 저자로 참여하였다.

기존의 연구들과는 다른 차별화된 접근 방식을 적용한 CSE 팀은 플래시 메모리 정보 저장의 근본 원리를 연구하였다. 플래시 메모리는 원자들이 무질서하게 배열된 비정질 물질이기 때문에 규칙성을 띤 정질 물질보다 특징을 파악하기 어려웠다.

하지만 CSE 팀은 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 원리를 규명하였다. 플래시 메모리는 우리 일상에서 많이 사용되는 반도체이지만, 원자 수준에서 일어나는 현상에 대한 연구는 미흡한 수준이었다. 이번 연구로 인해 플래시 메모리의 저장 원리가 구체적으로 알려지게 되었다.

삼성전자는 이번 연구를 계기로 플래시 메모리의 한계를 극복할 수 있는 시너지 효과를 기대하고 있다. 저장 원리가 밝혀지면 더 많은 양의 데이터를 저렴한 가격에 저장할 수 있게 되며, 인공지능(AI)의 성능 향상과 핵심기술의 진보를 이끌어낼 수 있다는 의미이다.

삼성전자 관계자는 "원자 수준에서의 메모리 작동 원리를 밝혀냈다는 것에 의의가 있다"며 "연구 결과를 통해 기존의 한계를 극복하고 더 발전된 기술을 구현할 수 있을 것으로 기대한다"고 밝혔다.

이번 연구를 통해 삼성전자는 플래시 메모리 기술의 발전을 이끌어내어 다양한 분야에서 혁신을 이루고자 하는 포부를 갖고 있다. 앞으로 더 많은 기술적 도약을 통해 우리 삶의 편의와 발전에 기여할 것으로 기대된다.

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