• 목록

• 페이스북 공유
• 트위터 공유

삼성전자, 지속 성장을 위한 연구개발과 투자 강화

삼성전자는 올해 연구개발(R&D), 전략적 시설투자 등을 통해 지속적인 성장을 위한 기반을 강화할 계획이다. 특히 메모리반도체 분야에서는 중장기 수요 대응을 위해 평택 3기 마감 및 4기 골조 투자를 진행할 예정이다. 또한 기술 리더십을 강화하기 위해 R&D용 투자 비중을 확대할 것으로 예상된다. 업계 최고 수준의 고대역폭 메모리(HBM) 생산 능력 확보를 위한 투자 또한 적극적으로 진행될 예정이다.

또한 파운드리 부문에서는 첨단공정 수요 대응을 위해 평택 공장 생산 능력을 확대할 예정이다. 미래 대응을 위해 미국 테일러 공장 인프라에도 투자할 예정이다.

삼성전자는 AI 시대를 주도하기 위한 반도체 개발에도 주력할 예정이다. 고성능 및 첨단 공정 제품의 판매와 다양한 응용처로의 신규 수주를 계속하여 확대함으로써 기술 경쟁력과 시장 리더십을 더욱 견고히 할 계획이다. 메모리 분야에서는 업계 최고 수준의 생산 능력을 기반으로 HBM3, HBM3E의 비중을 확대할 것이다. 고성능 및 고대역폭 수요에 대응하기 위한 계획도 적극적으로 추진될 예정이다.

또한 시스템LSI 분야에서는 플래그십 제품의 판매 비중을 확대하고, 모바일 시장 외의 다른 사업 영역을 넓힐 것이다. 파운드리 분야에서는 GAA(Gate-All-Around) 3나노 2세대 공정의 양산과 테일러 공장의 가동을 통해 기술 경쟁력을 더욱 강화할 계획이다. 또한 고성능 컴퓨팅, 차량, 소비자용 등 다양한 응용처로의 수주를 확대해 나갈 것이다.

메모리 기술의 발전과 성능 향상은 초거대 인공지능(AI) 시대에서 매우 중요한 요소이다. 삼성전자는 지난 40년 동안 쌓아온 독보적인 기술 노하우를 바탕으로 AI 반도체 시대를 주도할 다양한 메모리 제품을 준비해 왔다.

삼성전자는 2016년 세계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업을 시작한 바 있다. 올해에는 9.8Gbps 속도의 HBM3E 제품을 개발하여 고객사에 샘플을 공급할 예정이다. 또한 HBM4의 개발도 2025년을 목표로 진행 중이다. 고온 열특성에 대한 최적화된 솔루션을 제공하기 위해 계속해서 연구와 개발을 진행할 것이다.

삼성전자는 앞으로도 기술 혁신과 시장 선도를 위해 끊임없이 노력할 것이며, 글로벌 반도체 시장에서의 경쟁력을 한층 높여 나갈 것이다.

추천

0

비추천

0