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삼성전자-ASML, 하이 NA EUV 장비 공동 개발로 경쟁력 강화
삼성전자와 ASML이 2나노미터 이하 파운드리 공정을 위한 하이 NA EUV 노광장비 관련 기술을 공동 개발한다고 발표했다. 이러한 장비는 ASML의 최신 제품으로서 주문이 밀려나고 있는데, 삼성전자의 이번 협업으로 경쟁사와의 공정 경쟁에서 선두에 서게 될 것으로 기대된다.

지난 12일 산업계에 따르면 삼성전자와 ASML은 1조원을 투자하여 2나노미터 이하 반도체 생산용 파운드리 공정의 공동 연구개발(R&D)을 시작한다. 2나노미터는 선폭을 뜻하는데, 이는 초소형·저전력·고성능 칩을 만들기에 유리하다. 현재 삼성전자와 TSMC 등의 최첨단 공정은 3나노미터인 반면, 삼성전자와 TSMC는 2025년부터 2나노미터 칩 양산을 계획하고 있다. 또한, 작년에 파운드리 시장에 재진출한 인텔은 2024년부터 1.8나노미터 칩 생산을 선언했다.

칩을 양산하기 위해서는 선폭이 좁은 칩이 필요한데, 이를 위해서는 빛의 파장이 짧은 노광장비가 필수적이다. 이는 색연필과 샤프의 차이와 비슷한 이치이다. ASML은 파장이 13.5나노미터인 EUV 노광장비를 2017년에 개발하였고, 삼성전자 등은 2019년부터 7나노미터 공정에 EUV 장비를 도입했다.

2나노미터 공정의 개발로 인해 개선된 EUV 장비에 대한 수요가 늘어났다. ASML의 신제품인 하이 NA EUV 장비는 노광 능력을 최대화한 제품으로, 주문량이 늘어나고 있다. 이번 삼성전자와 ASML의 협업은 경쟁사와의 공정 경쟁에서 삼성전자가 승기를 잡을 수 있는 발판을 마련하는 것으로 평가되고 있다.

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